IBM sukūrė 9 nm tranzistorių iš grafeno nanovamzdelių


Grafeno nanovamzdeliai – gana perspektyvi struktūra. Mokslininkų dėmesį jie prikausto ne tik savo puikių mechaninių savybių dėka, jie įdomūs ir elektronikos pramonei.

Mokslininkai jau sugebėjo panaudoti cilindrines grafeno struktūras, kad būtų sukurti tinkami komerciniams produktams elektros kabeliai, vėliau ši medžiaga tapo eksperimentų, kurių metu kuriami kompaktiški tranzistoriai, pagrindu. Savo ruožtu, IBM iš šio medžiagos pavyko sukurti tranzistorių, kurio dydis sudaro vos 9 nm, praneša resursas Techreport.

Kaip žinome, šiais metais Intel išleis savo pirmuosius 22 nm tranzistorius, kurie taps procesorių Ivy Bridge pagrindu. Kaip teigiama, silicis elektronikos pramonėje bus naudojamas tiek ilgai, kiek tai leis šios medžiagos potencialas. Intel jau suplanavusi silicį naudoti iki pat 14 nm, tačiau jau dabar ieškoma pamainos šiam ne vieną dešimtmetį ištikimai tarnavusiam elementui.

Tokiu būdu IBM kuriami grafeno tranzistoriai perspektyvoje gali tapti geru pakaitalu siliciui tiek mikroprocesoriuose, tiek ir integralinėse schemose.

Pranešama, jog 9 nm IBM tranzistoriai pasiūlys kur kas mažesnį energijos suvartojimo lygį, nei tokio paties dydžio silicio analogai, taip pat bus daug laidesni elektrai, nei iš kitų medžiagų sukurti tranzistoriai (tame tarpe ir silicio).

Deja, tačiau technologija, kuri naudojama grafeno tranzistoriams gaminti, dar nėra tinkama masinei gamybai. Mokslininkai kol kas nesukūrė būdų, kaip efektyviai patalpinti vienoje vietoje milijonus ir milijardus tranzistorių, kurie reikalingi dabartinėms mikroschemoms. Taip pat nanovamzdelių kūrimas be metalų priemaišų taip pat yra gana sudėtinga užduotis. Tad jau dabar norintiems pamatyti naujus tranzistorius, teks nusivilti: aprašytos naujovės serijiniuose produktuose šį dešimtmetį pamatyti greičiausiai nepavyks.

Komentuoti nebegalima


Kitos kategorijos naujienos