3D Vertical NAND: atveriama vertikalių mikroschemų era


Kompanija Samsung pranešė, jog pradeda masinę taip vadinamų vertikalių mikroschemų gamybą. Technologija vadinasi 3D Vertical NAND arba 3D V-NAND.

Kompanijos atstovų teigimu, 3D V-NAND – tai daugiasluoksnė NAND Flash kristalų kombinacija, kuri sujungta vertikaliais metalizacijos kanalais. Pastarasis metodas pradėtas naudoti dar prieš gerą dešimtmetį. Tuomet ne tik Samsung, bet ir jau bankrutavusi Elpida, buvo anonsavę mikroschemas, kuriose buvo daugiau nei 10 kristalų, sulipdytų vienas ant kito.

samsung-ssd-nand

Šiandien daugiaaukštė konstrukcija iš 2-4 kristalų – kasdienis dalykas. Vertikaliuose sujungimo kanaluose taip pat nėra nieko iš esmės naujo. Samsung pranešime nevartojamas šiandien populiarus išsireiškimas, kaip TSVs sujungimai, tačiau nuo „senų“ metalizacijos kanalų TSVs skiriasi tik kanalų diametru (į mažesnę pusę).

Iš aukščiau pasakytų faktų galima daryti išvadą, kad Samsung 3D V-NAND – tai šiuolaikiškai apipavidalintas „įpakavimas“, kuriuose naudojamos jau seniai žinomos technologijos. Tačiau yra dar viena naujovė – tai įprastos konstrukcijos Flash atminties celės atsisakymas, o pradėtos naudoti taip vadinamos krūvio CTF (Charge Trap Flash) gaudyklės.

Kaip jau žinome, progresuojant technologiniam procesui bei mažėjant nanometrų rodikliui, NAND Flash ilgaamžiškumas ir patikimumas taip pat mažėja. CTF celės leidžia smarkiai padidinti duomenų saugojimo patikimumą. Samsung tikina, jog galima kalbėti apie 30-50 metų laikotarpį, kai tokia atmintis gali saugoti krūvį be išorinio maitinimo šaltinio.

Technologiją Charge Trap Flash pirmoji pasiūlė būtent Samsung, visa tai apsaugota maždaug 300 patentų. Vis tik praktikoje pirmoji NAND Flash atmintis su CTF celėmis buvo pagaminta kompanijų Spansion ir Elpida Memory, ir tai įvyko 2010 metais. Dabar Samsung apjungė visas tris technologijas viename sprendime – 3D Vertical NAND, o tam taip pat prireikė nemažai meno ir jėgų.

P. Korėjos elektronikos giganto teigimu, NAND Flash mikroschemų gamyba eis būtent daugiaaukštės mikroschemų „statybos“ keliu. Šiuo atveju nereikės sparčiai mažinti technologinį procesą, o vertikali konstrukcija leis smarkiai padidinti atminties tankį.

Nauja 3D V-NAND versija numato, kad vieną ant kitos būtų galima patalpinti iki 24 kristalų. Dabartinės Samsung propaguojamos 3D Vertical NAND versijos turi 128 GB talpą, taigi niekuo nesiskiria nuo tų, kurias gamina Micron ir Intel. Ateityje ketinama pasiūlyti 1 TB talpos rinkinius, tad korėjiečių keliu paseks ir konkurentai, tad greitu metu galima laukti ir skambių konkurentų anonsų.

Komentuoti nebegalima


Kitos kategorijos naujienos