IDF 2013: Intel papasakojo apie 427 GHz grafeno tranzistorius


Konferencijoje IDF 2013 kompanija Intel pasakojo ne tik apie netolimos ateities sprendimus (pavyzdžiui, Broadwell procesorius ir 14 nm technologinį procesą), tačiau užsiminė ir apie grafeno tranzistorius, rašo puslapis Fudzilla.

grafeno-tranzistoriu-medziaga

Intel generalinis direktorius Brian Krzanich ir prezidentė Renee James teigė, jog Intel tyrimų ir plėtros laboratorijose dirbantys mokslininkai pasiekė gana neblogų rezultatų grafeno panaudojimo srityje, ir netgi nusimato viltį teikiantis progresas, tačiau šiuo metu grafeno tranzistoriams dar prireiks kelių kartų, kad jie galėtų būti panaudoti mikroprocesoriuose.

Grafenas vis dar yra gana brangiai atsieinantis sprendimas. Jis gerai tinka prototipams, tačiau ne masinei produkcijai. Jūs nepamatysite Atom ir Core procesorių su grafeno tranzistoriais šiame dešimtmetyje, bent jau taip atrodo iš šios dienos perspektyvos“, – teigė Brian Krzanich.

Kadangi Intel planai rodo, jog 7 nm technologinis procesas vis dar naudos silicį, o tai įvyks apie 2017 – 2018 metus, tai grafeno tranzistorių galima tikėtis ne anksčiau kaip 2020 metais. Intel teigimu, geriausiu atveju tai įvyks 2019 metais.

Grafeno tranzistoriai, kaip tikimasi, atneš įspūdingą spartą: vienas tranzistorius galės veikti net 427 GHz taktiniu dažniu, taigi perspektyvoje galime sulaukti ir terahercinių sprendimų. Šiuo atveju mikroprocesoriuje būtų ne daugiau nei keli tūkstančiai tokių tranzistorių. Žinant, kad šiuolaikiniai procesoriai jų turi virš milijardo, tai būtų rimtas smūgis Mūro dėsniui, tačiau toks sumažėjimas lemtų įspūdingą spartos padidėjimą.

Vienas komentaras

  1. Ignas parašė:

    Vau… Smagu zaist bus ! :DDD


Kitos kategorijos naujienos