Samsung pradėjo masinę DDR4 modulių su TSV jungtimis gamybą


samsung-ddr4-memory-680

Kompanija Samsung pranešė, kad pirmoji visoje industrijoje pradėjo gaminti 64 GB talpos DDR4 standarto RDIMM atminties modulius. Pastarieji surinkti iš 36 mikroschemų, kurių kiekvienos talpa sudaro 4 Gbit.

Iš pirmo žvilgsnio, nieko ypatingo, kadangi šiandien gamintojai sugeba naudoti ir 8 Gbit talpos atminties mikroschemas. Ypatumas tas, jog Samsung minėtas 4 Gbit mikroschemas surenka į daugiaaukštę struktūrą, o kristalus sujungia, naudodama TSVs (through silicon via) metodą. Panašias jungiančias magistrales kompanija naudoja, gamindama 32 sluoksnių 3D V-NAND atmintį.

Iš pranešimo konteksto galima suprasti, kad 4 Gbit DDR4 mikroschemos surenkamos iš keturių 1 Gbit kristalų. Ateityje tokių kristalų skaičius gali būti padidintas. Naujo metodo naudojimas leido per pusę sumažinti mikroschemų energijos sąnaudas, o kartu dvigubai padidinti prieigos spartą.

Samsung gana aptakiai kalba apie naudojamą technologinį procesą, nurodydama gana abstrakčią „20 nm klasę“. Bet kokiu atveju, progresas gana akivaizdus, o visa tai teigiamai įtakos serverių energetinius apetitus – būtent jiems ir skirta naujoji operatyvioji atmintis.

Pabaigai priminsime, kad kompanijos Micron ir SK Hynix tik šiek tiek atsilieka nuo Samsung. Analogišką TSV jungčių metodą Micron naudoja HMC, tuo tarpu SK Hynix – HBM atminties gamyboje. Beje, Samsung ne pirmą kartą pradėjo naudoti TSV metodą – jį taikė 2010 m. 8 GB RDIMM modulių (40 nm) gamyboje, taip pat 2011 m., kai išleisti 32 nm DRAM RDIMM moduliai su 32 GB talpa.

Komentuoti nebegalima


Kitos kategorijos naujienos