Samsung pradėjo gaminti 20 nm 8 GB talpos DDR4 mikroschemas


Kompanija Samsung pranešė, kad pradeda masinę DDR4 operatyvios atminties mikroschemų gamybą, kurių talpa sudaro 8 GB, o jų gamyboje naudojamas 20 nm technologinis procesas. Apie tai praneša puslapis The Inquirer.

Samsung_DDR4_20nm_4GB

Minėtos DDR4 mikroschemos bus skirtos ECC režimą palaikantiems atminties moduliams gaminti. Jų talpa prasidės nuo 32 GB.

Duomenų perdavimo sparta tokiuose operatyvios atminties moduliuose sieks 2400 Mbit/s, o tai, gamintojo teigimu, yra 29% daugiau, nei DDR3 standarto atmintyje.

Naujosios mikroschemos taip pat galės naudoti TSV jungtis (skersai mikroschemas jungiančias magistrales, kai patys atminties kristalai montuojami vienas ant kito), todėl ateityje galima tikėtis operatyvios atminties modulių su 128 GB talpa.

Kiek anksčiau Samsung buvo pranešusi apie kitų operatyvios atminties tipų gamybą, naudojant 20 nm technologiją. Kompanija gamina 4 GB talpos DDR3 mikroschemas, taip pat 6 GB talpos LPDDR3 sprendimus, kurie skirti naudojimui mobiliuose įrenginiuose.

Komentuoti nebegalima


Kitos kategorijos naujienos