Intel ir Micron pristatė 3D Xpoint – NAND atminties „žudikę“


Kompanijos Intel ir Micron su neįprasta pompastika pristatė naują, revoliucinę energetiškai nepriklausomos atminties tipą – 3D XPoint („XPoint“ tariamas kaip „cross-point“).

Kūrėjų teigimu, tai yra didžiausias išradimas atminties industrijoje nuo pat NAND Flash atminties pasirodymo laikų. Naujoji atmintis 3D XPoint yra 1000 kartų spartesnė nei NAND Flash, 1000 kartų ilgaamžiškesnė ir pasižymi 10 kartų didesniu tankumu, nei DRAM.

3d-xpoint-memory-01

Bandomieji 3D XPoint atminties pavyzdžiai bus pradėti gaminti šių metų pabaigoje, tuo tarpu pirmieji produktai rinkoje turėtų debiutuoti 2016 m.

Pirmoji naujosios atminties karta turės 128 GB talpą, bus naudojama dviejų lygių struktūra – kiekvienas sluoksnis turės po 64 GB. Technologinis procesas nežinomas, tačiau kūrėjai teigia, kad atmintis bus gaminama, naudojant 300 mm plokšteles Micron gamykloje (Jutos valstija, JAV).

3D XPoint nėra NAND ar DRAM atmaina, o visiškai nauja atminties klase, o jos darbo principas žymiai skiriasi nuo esamų sprendimų. Čia kaip jungikliai nenaudojami tranzistoriai, o duomenų saugojimui nenaudojamas elektros krūvis, kaip DRAM ar NAND mikroschemose.

3d-xpoint-memory-02

Nors kūrėjai kalba apie 3D XPoint kaip apie ReRAM (rezistyvinę RAM), tačiau iš Intel pareiškimų galima suprasti, kad turimas kitas energetiškai nepriklausomas atminties variantas – CeRAM (Correlated Electron RAM).

Bet kokiu atveju, vartotojams dar anksti džiaugtis, kadangi pirmieji kaupikliai su 3D Xpoint atmintimi pasirodys superkompiuteriuose ir duomenų centruose, kuriuose reikalinga ypač didelė sparta ir patikimumo lygis.

Vienas komentaras

  1. procc parašė:

    Nusipirksim dabar ssd, o veliau galesim nagus grauzti kai atsiras dar 10 kart greitesni ssd ar pan su sia nauja technologija ^^


Kitos kategorijos naujienos