Hybrid Memory Cube Consortium publikavo „kubinės“ atminties specifikacijų pirmąją versiją. Tai bus daugiaaukštė atminties kristalų kombinacija, o tai teigiamai įtakos duomenų perdavimo spartą (ši bus net 15 kartų didesnė, lyginant su DDR3) bei energijos suvartojimo lygį.

DRAMeXchange duomenimis, kovo mėnesio I pusėje operatyvios atminties DDR3 DRAM modulių, kurių talpa sudaro 2 GB ir 4 GB, atitinkamai pabrango 22% ir 16,5%. Artimiausiu metu, remiantis šios rinkos analitikų prognozėmis, operatyvios atminties paklausa ir toliau augs

Didelės spartos šeimai Trident X priklausantis rinkinys vadinasi G.Skill Trident X 32GB kit (kodas – F3-2800C11Q-32GTXD) sudarytas iš keturių DDR3 tipo 8 GB talpos modulių, kurie darbuojasi 2800 MHz taktiniu dažniu, CL parametrai lygūs 11-13-13-35, tuo tarpu darbinė įtampa sudaro 1,65 V.

Japonų korporacija Toshiba sukūrė magnetorezistyvinės atminties mikroschemas MRAM, kurios skirtos specialiai mobiliems telefonams. Pastarasis atminties tipas neturi dabartinių DRAM ir SRAM trūkumų; ji yra greita ir energetiškai nepriklausoma.

Kompanijos PQI vadovybė pilna ryžto nutraukti operatyvios atminties modulių gamybą jau 2013 m., o ne 2015 m., kaip planuota anksčiau. Bevieliai informacijos kaupikliai ir aksesuarai Apple įrenginiams tapo viena iš tų sričių, į kurią PQI nukreips atsilaisvinusius resursus.

Granados universiteto (Ispanija) mokslininkai kartu su specialistais iš Grenoblio CEA-LETI laboratorijos (Prancūzija) specialistais paskelbė apie pažangios operatyvios atminties gamybos technologiją, kuri, kūrėjų teigimu, gali būti drąsiai vadinama revoliucine.

Crucial puslapyje pasirodė pranešimas, kuriame kalbama apie žemo profilio modulius, priklausančius serijoms Ballistix Sport VLP ir Tactical LP. Apie specifikacijas kalbama tik tiek, kad jų talpa siekia iki 8 GB, minimali įtampa, kaip jau minėta – 1,35 V

Entuziastas Hicookie pasinaudojo dviem G.SKILL TridentX operatyvios atminties moduliais, kurių bendra talpa sudarė 8 GB, o procesoriumi pasirinktas Core i7-3770K. Operatyvioji atmintis dirbo 1676.9 MHz dažniu, o tai leidžia kalbėti apie DDR3-3354 režimą

Organizacijos DRAMeXchange analitikų teigimu, rugsėjo II pusėje kontraktinės DRAM atminties kainos ir toliau mažėjo, o tai atspindi gana vangią šios produkcijos paklausą. Kainų kritimas sudarė 5-6%. Visa tai siejama su PC industrijos nuopoliu.

JEDEC inžinerių komitetas anonsavo naujo atminties standarto DDR4 specifikacijas. Pastaroji naujovė leis pasiekti dar didesnį operatyvios atminties produktyvumo lygį, patikimumą, taip pat sumažinti suvartojamos elektros energijos kiekį.

Dar 2011 m. pradžioje Samsung tapo pirmuoju pasaulyje gamintoju, kuris pademonstravo DDR4 operatyvios atminties modulį. IDF 2012 metu Samsung parodė daug didesnės talpos DDR4 modulį. Talpa pasiekė įspūdingus 16 GB, dažnis – 2133 MHz (PC4-17000).

Kompiuterinės atminties rinkos krizės aštrumą pabrėžia ne japonų kompanijos Elpida bankrotas, o padažnėję atvejai, kai iš šios rinkos pasitraukia Taivano gamintojai. Pasitraukus Winbond ir PowerChip, dabar eilėje laukia ir kompanija Nanya Technology

Kingston viceprezidentas Scott Chen yra įsitikinęs, jog DRAM mikroschemų kainos jau pasiekė savo minimumą. Tai reiškia, jog greitu metu operatyvios atminties kainos pradės judėti į viršų, o tai padės padaryti ir Windows 8 debiutas, ir gamybos apimčių mažinimas.

Kompanija Kingston Technology anonsavo DDR3 operatyvios atminties modulius, kurie priklauso naujai linijai HyperX Predator Series. Šie orientuoti į pačius reikliausius kompiuterių vartotojus, o galingiausi sprendimai gali pasiūlyti net 2666 MHz spartą.

Kompanija Samsung Electronics priėmė strategiją agresyviai didinti operatyvios atminties modulių kainas. Jau šių metų pabaigoje P. Korėjos gamintojas ketina pakelti kontraktines 4 GB DDR3 atminties modulių kainas iki maždaug $25-27 ribos.