Kategorija: Operatyvioji atmintis

Toshiba mobiliems įrenginiams jau ruošia revoliucinę MRAM atmintį (1)

Japonų korporacija Toshiba sukūrė magnetorezistyvinės atminties mikroschemas MRAM, kurios skirtos specialiai mobiliems telefonams. Pastarasis atminties tipas neturi dabartinių DRAM ir SRAM trūkumų; ji yra greita ir energetiškai nepriklausoma.

PQI nutrauks operatyvios atminties gamybą 2013 m.

Kompanijos PQI vadovybė pilna ryžto nutraukti operatyvios atminties modulių gamybą jau 2013 m., o ne 2015 m., kaip planuota anksčiau. Bevieliai informacijos kaupikliai ir aksesuarai Apple įrenginiams tapo viena iš tų sričių, į kurią PQI nukreips atsilaisvinusius resursus.

Sukurtas revoliucinis operatyvios atminties tipas A-RAM

Granados universiteto (Ispanija) mokslininkai kartu su specialistais iš Grenoblio CEA-LETI laboratorijos (Prancūzija) specialistais paskelbė apie pažangios operatyvios atminties gamybos technologiją, kuri, kūrėjų teigimu, gali būti drąsiai vadinama revoliucine.

Crucial pristatė žemo profilio operatyvios atminties modulius

Crucial puslapyje pasirodė pranešimas, kuriame kalbama apie žemo profilio modulius, priklausančius serijoms Ballistix Sport VLP ir Tactical LP. Apie specifikacijas kalbama tik tiek, kad jų talpa siekia iki 8 GB, minimali įtampa, kaip jau minėta – 1,35 V

Gigabyte Z77X-UD4H ir atminties spartinimo „rekordas“

Entuziastas Hicookie pasinaudojo dviem G.SKILL TridentX operatyvios atminties moduliais, kurių bendra talpa sudarė 8 GB, o procesoriumi pasirinktas Core i7-3770K. Operatyvioji atmintis dirbo 1676.9 MHz dažniu, o tai leidžia kalbėti apie DDR3-3354 režimą

DRAM atminties moduliai atpigo dar 5-6%

Organizacijos DRAMeXchange analitikų teigimu, rugsėjo II pusėje kontraktinės DRAM atminties kainos ir toliau mažėjo, o tai atspindi gana vangią šios produkcijos paklausą. Kainų kritimas sudarė 5-6%. Visa tai siejama su PC industrijos nuopoliu.

JEDEC publikavo DDR4 atminties standarto specifikacijas

JEDEC inžinerių komitetas anonsavo naujo atminties standarto DDR4 specifikacijas. Pastaroji naujovė leis pasiekti dar didesnį operatyvios atminties produktyvumo lygį, patikimumą, taip pat sumažinti suvartojamos elektros energijos kiekį.

IDF 2012: Samsung parodė 16 GB DDR4-2133 operatyviąją atmintį (1)

Dar 2011 m. pradžioje Samsung tapo pirmuoju pasaulyje gamintoju, kuris pademonstravo DDR4 operatyvios atminties modulį. IDF 2012 metu Samsung parodė daug didesnės talpos DDR4 modulį. Talpa pasiekė įspūdingus 16 GB, dažnis – 2133 MHz (PC4-17000).

Nanya Technology ruošiasi nutraukti kompiuterinės atminties gamybą

Kompiuterinės atminties rinkos krizės aštrumą pabrėžia ne japonų kompanijos Elpida bankrotas, o padažnėję atvejai, kai iš šios rinkos pasitraukia Taivano gamintojai. Pasitraukus Winbond ir PowerChip, dabar eilėje laukia ir kompanija Nanya Technology

Operatyvios atminties kainos pasiekė savo minimumą (3)

Kingston viceprezidentas Scott Chen yra įsitikinęs, jog DRAM mikroschemų kainos jau pasiekė savo minimumą. Tai reiškia, jog greitu metu operatyvios atminties kainos pradės judėti į viršų, o tai padės padaryti ir Windows 8 debiutas, ir gamybos apimčių mažinimas.

Kingston HyperX Predator DDR3 gali pasiūlyti 2666 MHz spartą

Kompanija Kingston Technology anonsavo DDR3 operatyvios atminties modulius, kurie priklauso naujai linijai HyperX Predator Series. Šie orientuoti į pačius reikliausius kompiuterių vartotojus, o galingiausi sprendimai gali pasiūlyti net 2666 MHz spartą.

Samsung padidins 4 GB talpos DDR3 atminties modulių kainas (1)

Kompanija Samsung Electronics priėmė strategiją agresyviai didinti operatyvios atminties modulių kainas. Jau šių metų pabaigoje P. Korėjos gamintojas ketina pakelti kontraktines 4 GB DDR3 atminties modulių kainas iki maždaug $25-27 ribos.

Corsair išleis Dominator Platinum DDR3-3000 modulius

Pirmuosius operatyvios atminties modulius su efektyviu 3000 MHz dažniu išleido Team Group. Kiti garsūs gamintojai negalėjo atsakyti į tokį iššūkį, kol nepasirodė užsispyrę savo kolegoms nenorėję nusileisti Corsair atstovai. Pastarieji ruošiasi atgaivinti Dominator Platinum seriją.

Samsung ir Hynix parodė DDR4 atminties prototipus

Konferencijoje ISSCC 2012 kompanijos Samsung ir Hynix buvo vieninteliai operatyvios atminties gamintojai, kurie parodė mikroschemas, atitinkančias DDR4 standartą. Micron, Elpida ir Nanya – kiti pagrindiniai šios rinkos žaidėjai – susilaikė nuo DDR4 mikroschemų bandomosios gamybos.

Elpida pristatė rezistyvinės atminties ReRAM prototipą

Elpida pristatė rezistyvinės atminties ReRAM (resistive random access memory) prototipą. Pastarasis kol kas neturi analogų rinkoje ir turi eilę privalumų prieš dabar visuotinai naudojamą, įskaitant DRAM spartą bei NAND energetinį nepriklausomumą.